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| Lieu d'origine: | Xi'an Shaanxi Chine |
| Nom de marque: | XINLAND |
| Certification: | CE |
| Numéro de modèle: | Diode laser de XLD-650-001-C |
650nm 1W a palpité diode laser rouge facultative de puissance élevée de paquet de C-bâti de la diode laser FAC
Détails de produit :
Number modèle : XLD-650-001-C (FAC facultatif)
Type : Diode laser
Type de laser : Laser rouge
Puissance : 1W
Longueur d'onde : 650nm
Type de paquet : C-bâti
Spécifications produit :
| Longueur d'onde | Numéro de la pièce | De puissance de sortie | Type de mode | Type de laser | Paquet | Palladium | FAC |
| 650nm | XLD-650-001-C | 1W | Millimètre | Point de gel | C-bâti | × | ○ |
| XLD-650-001-3 | 1W | Millimètre | Point de gel | TO3 | × | ○ | |
| XLD-650-001-E | 1W | Millimètre | Point de gel | E-bâti | × | ○ |
FAC
Les diodes lasers sont les composantes clés dans des lasers de semi-conducteur de puissance élevée. Pendant la fabrication, l'ensemble de la lentille rapide de la collimation d'axe (FAC) est une étape essentielle.
Lentilles de collimation de rapide-axe d'ooptional de conception (lentilles de collimation de Rapide-axe, lentilles de FAC). Ces lentilles collimatent chaque barre de diode et réduisent l'angle de divergence avec une valeur très petite (8 mrad @ de ² 1/e) sur l'axe rapide.
Type de paquet :
Le processus de fabrication de C-bâti est plus compliqué. le paquet de C-bâti a les avantages de la fiabilité élevée, de la précision de forte stabilité et haute usinant, de la conduction thermique élevée, etc.
