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| Lieu d'origine: | Xi'an Shaanxi Chine |
| Nom de marque: | XINLAND |
| Certification: | CE |
| Numéro de modèle: | XL-650LD100 |
■Caractéristiques
Longueur d'onde : 650nm
Rendement lumineux : ONDE ENTRETENUE 5mW
Type de paquet : TO-18 (Φ5.6mm)
Puissance à haute production : 230mW (impulsion
Rendement élevé : 0.95W/A (type.)
Lumière visible : 658nm (type.)
Bas allongement (⊥ de θ/θ //) : 1,8 (type.)
Basse distance astigmate : 1µm (type.)
■Estimations maximum d'un bsolute (Tc=25℃)
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Paramètre |
Symboles |
Estimations |
Unités |
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Sortie optique |
PO (onde entretenue) |
5 |
mW |
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Inverse Tension |
Laser |
Vr |
2 |
V |
|
PALLADIUM DE PIN |
Vr (PIN) |
30 |
V |
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Température de fonctionnement |
Dessus |
-10 | +40 |
℃ |
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Température de stockage |
Tstg |
-40 | +80 |
℃ |
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XL-650LD100 est un AlGaInP de haute puissance et haut-efficace
laser de semi-conducteur qui fournit un stable, simple
oscillation de mode transversal avec la longueur d'onde d'émission de
658nm et rendement lumineux standard d'impulsion de 230mW.
XL-650LD100 a un vrai-index-guide d'ondes qui améliore
efficacité de pente (réduction du courant d'opération) et
distance astigmate.
XL-650LD100 a une fenêtre-miroir-facette qui s'améliore
le maximum de puissance de sortie. Cela mène fortement à fiable et
opération de haute puissance à 75 °C.
■Caractéristiques électriques et optiques (Tc=25℃)
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Paramètre |
Symboles |
Conditions |
Minute |
Type |
Maximum |
Unités |
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Courant de seuil |
Ith |
- |
- |
12 |
16 |
mA |
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Actuel d'opération |
IOP |
Po=5mW |
- |
18 |
22 |
mA |
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|
Tension d'opération |
VOP |
Po=5mW |
- |
2,3 |
2,6 |
Volts |
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Efficacité de pente |
η |
- |
0,6 |
0,8 |
1,0 |
mW/mA |
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Courant de moniteur |
Im |
Po=5mW |
0,09 |
0,16 |
0,3 |
mA |
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Divergence de poutre (FWHM) |
Parallèle |
‖ de θ |
Po=5mW |
6 |
7 |
9 |
degré |
|
Perpendiculaire |
θ⊥ |
Po=5mW |
25 |
28 |
30 |
degré |
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Angle de déviation parallèle |
△‖ de θ |
Po=5mW |
-3 |
- |
3 |
degré |
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|
Angle de déviation perpendiculaire |
△θ⊥ |
Po=5mW |
-3 |
- |
3 |
degré |
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|
Exactitude de point d'émission |
△X, △Y, △Z |
Po=5mW |
-80 |
- |
80 |
um |
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Longueur d'onde de Lasing |
λp |
Po=5mW |
645 |
655 |
665 |
nanomètre |
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