nouvelles de l'entreprise Statut de développement et prévision d'industrie globale de la photodiode d'avalanche de silicium (SI-APDs)

Les photodiodes d'avalanche de silicium se rapportent aux éléments photosensibles utilisés dans la transmission par laser. Après qu'une polarisation d'inversion soit appliquée à la jonction de PN d'une photodiode faite de silicium, la lumière d'incident sera absorbée par la jonction de PN pour former un photocurrent. La longueur d'onde de réponse du SI-APD couvre 260-1100nm. APD a un mécanisme interne de gain. Comparé aux tubes ordinaires de PIN, il peut fournir des dix aux centaines de périodes le signal sous la polarisation d'inversion, et a une vitesse plus rapide de réponse et un rapport signal/bruit plus élevé tout en maintenant le bas courant d'obscurité.

Statut de développement et prévision d'industrie des photodiodes d'avalanche de silicium (SI-APDs)

Au cours de la période du « 13ème plan quinquennal » (2017-2021), l'importance du marché globale de la photodiode d'avalanche de silicium (SI-APDs) en 2017 était USD 66,4 millions. Affecté par l'épidémie pendant les dernières deux années, selon la dernière recherche par QYR, l'importance du marché globale de la photodiode d'avalanche de silicium (SI-APDs) en 2021 sera US$77.66 million, dont le taux de croissance composé de cinq ans à partir de 2017 à 2021 sera 3,99%. Au cours de la période du « 14ème plan quinquennal » (2021-2025), on l'estime que l'échelle globale atteindra 94,17 millions de dollars US en 2025, et le taux de croissance composé pendant le 2021-2025 sera 4,94%.

Une photodiode d'avalanche est un détecteur photoélectrique de semi-conducteur (photodiode) qui fonctionne aux tensions inverses relativement élevées (typiquement des dizaines ou même des centaines de volts), parfois seulement légèrement au-dessous de seuil. Dans cette gamme, les transporteurs (des électrons et des trous) excités par l'absorption des photons sont accélérés par le champ électrique interne fort, et alors des transporteurs secondaires sont produits, qui se produit souvent dans des tubes photomultiplicateurs. Le processus d'avalanche se produit seulement à une distance de quelques microns, et le photocurrent peut être amplifié beaucoup de fois. Par conséquent, des photodiodes d'avalanche peuvent être utilisées en tant que détecteurs très sensibles, exigeant l'amplification de signal moins électronique et donc le bruit moins électronique. Cependant, le processus d'avalanche lui-même a le bruit de quantum et le bruit d'amplificateur, qui nie les avantages mentionnés ci-dessus. Le bruit additif peut être quantitativement décrit par le chiffre de bruit additif F, un facteur qui caractérise l'augmentation de la puissance de bruit électronique comparée à un détecteur photoélectrique idéal.

les diodes à avalanche basées sur silicium sont sensibles dans la gamme de longueurs d'onde de 450-1000 le nanomètre (parfois jusqu'à 1100 nanomètre), avec le plus haut responsivity de l'ordre de 600-800 nanomètre, c.-à-d. des longueurs d'onde légèrement plus petites que le SI des diodes pin dans cette gamme de longueurs d'onde. Le facteur de multiplication (également connu sous le nom de gain) du SI APDs varie entre 50 et 1000, selon la conception de dispositif et la tension inverse appliquée.

La recherche sur la localisation et la production en série des dispositifs SI-APD en Chine a commencé relativement en retard. Actuellement, les dispositifs SI-APD domestiques sont toujours en retard les géants étrangers. Le domaine traînant principal est le manque d'applications menant à la fabrication en série inachevée des produits.

Avec le développement rapide des applications telles que l'entraînement futé, la maison futée, et la détection de détection de haut-sensibilité, à faible niveau d'éclairement et de simple-photon connaîtront la croissance explosive. La technologie du dispositif SI-APD a principalement deux directions de développement, on est la miniaturisation et l'intégration des dispositifs. D'autre part, la représentation des dispositifs SI-APD est encore améliorée, comme l'amélioration du responsivity de détection dans les bandes ultra-violettes, infrarouges et proche-infrarouges. Avec le développement continu de la technologie SI-APD et la maturité de la technologie de la production en série SI-APD, les dispositifs SI-APD avec le petit prix et la représentation supérieure peuvent être appliqués de plus en plus aux champs.

Selon l'enquête, on s'attend à ce que l'importance du marché globale des photodiodes d'avalanche de silicium (SI-APDs) est approximativement USD 77,66 millions en 2021 et atteignent USD 116,99 millions en 2028, avec un taux de croissance annuel composé (CAGR) de 6,45 pour cent pour la période 2022-2028.

En 2021, la Chine expliquera 5,06% de la part de marché global. On l'estime que le taux de croissance composé du marché chinois sera 9,75% dans les 6 prochaines années, et l'échelle atteindra 7,34 millions de dollars US en 2028. La situation du marché importante de la région d'Asie Pacifique deviendra plus importante dans les prochaines années.