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bâti Mini Laser Diode FAC de 808nm 10W C facultatif

Certificat
Chine XI'AN XINLAND INTERNATIONAL CO.,LTD certifications
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Image Grand :  bâti Mini Laser Diode FAC de 808nm 10W C facultatif

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: Xinland
Certification: N/A
Numéro de modèle: XLD-808-010-C
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 10 unités
Prix: Negotiated
Détails d'emballage: 100pcs par carton
Conditions de paiement: Western Union, MoneyGram, T/T, L/C
Capacité d'approvisionnement: 5000 unités chaque mois

bâti Mini Laser Diode FAC de 808nm 10W C facultatif

description de
Longueur d'onde centrale: 808nm Largeur spectrale: 3.5Nm
Puissance: 5W Paquet: C-bâti
Région d'émetteur: 400x1μm Divergence de poutre: 33°┴ x12°//
Surligner:

diode laser miniature

,

diode de point de laser

paquet Mini Laser Diode FAC de C-bâti de puissance élevée de 808nm 10W facultatif
 
Caractéristiques :
 
808nm
Onde entretenue
C-MOUNT
 
Application :
 
Équipement médical de laser
 Indicateur de laser
Détecteur de laser

 

paquet de C-bâti

 
Fiche technique technique :
 

Tension inverse

Vr

2,0

V

Température de fonctionnement

Dessus

+10~+30

°C

Température de stockage

Tstg

-20 | +80

°C

La température de soudure d'avance (sec 10.)

Tis

260

°C

 
Spécifications de laser :

 

  Minute Type Maximum
°C de Wavelength@25 de centre +/-5nm 808nm +/-10nm
Largeur spectrale (FWHM) -- 3.5nm --
De puissance de sortie -- 10W --
Région d'émetteur -- 400x1μm --
Divergence de poutre (FWHM) -- 33°┴ x12°// --
Coefficient de température de longueur d'onde -- 0.3nm/°C --
Efficacité de pente -- 1.1W/A --
Courant de seuil (type.) -- 1.5A --
Actuel de fonctionnement (type.)   12A --
Tension d'opération ---

2,2 V

-


dessin de C-bâti :
 
bâti Mini Laser Diode FAC de 808nm 10W C facultatif 0

Coordonnées
XI'AN XINLAND INTERNATIONAL CO.,LTD

Personne à contacter: Mrs. Nica Chow

Téléphone: +86-13991354371

Télécopieur: 86-29-81323155

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